IGBT QM15TD-9B

Описание IGBT QM15TD-9B

QM15TD-9B – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных преобразователях, инверторах, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и встроенным быстрым диодом.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 900 В
• Ток коллектора (I_C): 15 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 30 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 75 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,8 В (при I_C = 15 А)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 1,25 °C/Вт

Встроенный диод:

• Обратное напряжение диода (V_RRM): 900 В
• Прямой ток диода (I_F): 15 А
• Прямое падение напряжения (V_FM): 1,7 В

Корпус:

• Тип: TO-247 (изолированный)
• Монтаж: винтовой

Температурный режим:

• Рабочая температура (T_j): -55°C до +150°C
• Температура хранения: -55°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA15N90 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW15NC90WD (STMicroelectronics)
• HGTG15N90B3D (Microsemi)
• IXGH15N90B (IXYS)

Совместимые модули в схемах:

• Fuji Electric: 2MBI15U-090
• Mitsubishi: CM15TD-12S
• Infineon: FF15R12RT4

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Устройства плавного пуска

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров в конкретной схеме.