IGBT QM15TD9

Описание IGBT QM15TD9

QM15TD9 – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в силовой электронике. Используется в инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных приложениях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | NPT IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 15 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 30 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.55 В (при 7.5 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 110 нс |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 50 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

• Аналоги от других производителей:
  • IRG4PH40UD (International Rectifier)
  • FGA15N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
  • STGW15NC60WD (STMicroelectronics)
  • HGTG15N60A4D (Microsemi)
• Совместимые модели в том же семействе:
  • QM10TD9 (10 А, 600 В)
  • QM20TD9 (20 А, 600 В)
  • QM15TD8 (15 А, 800 В)

Примечания

• При замене на аналог рекомендуется проверять соответствие вольт-амперных характеристик и параметров переключения.
• Для оптимального теплоотвода рекомендуется использовать радиатор или активное охлаждение.

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики ВАХ, схемы подключения), уточните запрос.