IGBT QM15TB-H

IGBT QM15TB-H: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT QM15TB-H – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Высокая скорость переключения
• Встроенный быстрый диод (антипараллельный)
• Высокая надежность и температурная стабильность

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) при 25°C | 15 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 30 А | | Падение напряжения V_CE(sat) (при I_C = 15 А) | ≤ 2,0 В | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 50 Вт | | Температура перехода (T_j) | -55°C … +150°C | | Корпус | TO-3P (TO-247) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• FGA15N60 (Fairchild)
• IRG4PC50U (Infineon)
• STGW15NC60HD (STMicroelectronics)
• HGTG15N60A4D (ON Semiconductor)

Похожие модели от других производителей:

• IXGH15N60B (IXYS)
• KGF15N60 (KEC)
• GP15NC60KD (Panasonic)

Применение

• Инверторы
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Драйверы двигателей
• Сварочное оборудование

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.