IGBT QM15TB-H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM15TB-H
IGBT QM15TB-H: Описание и технические характеристики
Описание
IGBT QM15TB-H – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.
Ключевые особенности:
- Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
- Высокая скорость переключения
- Встроенный быстрый диод (антипараллельный)
- Высокая надежность и температурная стабильность
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (IC) при 25°C | 15 А | | Макс. импульсный ток (ICM) | 30 А | | Падение напряжения VCE(sat) (при IC = 15 А) | ≤ 2,0 В | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (PD) | 50 Вт | | Температура перехода (Tj) | -55°C … +150°C | | Корпус | TO-3P (TO-247) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- FGA15N60 (Fairchild)
- IRG4PC50U (Infineon)
- STGW15NC60HD (STMicroelectronics)
- HGTG15N60A4D (ON Semiconductor)
Похожие модели от других производителей:
- IXGH15N60B (IXYS)
- KGF15N60 (KEC)
- GP15NC60KD (Panasonic)
Применение
- Инверторы
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Драйверы двигателей
- Сварочное оборудование
Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.