IGBT QM15TBH

IGBT QM15TBH: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT QM15TBH — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других высоковольтных силовых устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип транзистора | NPT (Non-Punch Through) IGBT | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1500 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 15 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 30 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 3,0 В (при I_C = 15 А) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -55 °C до +150 °C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA15N120ANTD (Fairchild / ON Semiconductor)
• HGTG15N120BND (Microsemi)
• IXGH15N120B (IXYS / Littelfuse)

Частично совместимые модели (с учетом характеристик):

• IRG4PC40U (1200 В, 21 А)
• FGA25N120ANTD (1200 В, 25 А)
• HGTG20N120CND (1200 В, 20 А)

Применение:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Системы управления электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять спецификации и условия работы в конкретной схеме.