IGBT QM15TB-9

IGBT QM15TB-9: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT QM15TB-9 – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания и системах управления двигателями. Отличается высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 900 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 15 А (макс.) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 9 А (макс.) | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 75 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2,5 В (при 15 А) | | Время включения (t_on) | ~35 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | ~150 нс (тип.) | | Корпус | TO-3P (TO-247) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT QM15TB-9 может быть заменён или совместим со следующими аналогами:

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• HGTG15N120BND (Fairchild/ON Semi)
• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• STGW15NC120HD (STMicroelectronics)
• IXGH15N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Примечание:
Перед заменой рекомендуется уточнить параметры схемы, так как аналог должен соответствовать напряжению, току и характеристикам переключения.

Если вам нужна дополнительная информация по применению или схемам с этим IGBT, уточните детали!