IGBT QM15TB2HB

Описание IGBT QM15TB2HB

QM15TB2HB – это изолированный модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для управления мощными нагрузками в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзистор и диод обратного хода (антипараллельный диод), обеспечивая высокую эффективность и надежность в схемах преобразования энергии.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C) при 25°C: 15 А
• Ток коллектора (I_C) при 100°C: 10 А
• Пиковый ток (I_CM): 30 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1,8 В (при I_C = 15 А)
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В (макс.)
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 50 Вт

Диод обратного хода (FWD):

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Ток диода (I_F): 15 А
• Падение напряжения (V_FM): ~1,7 В

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): ~1,5 °C/Вт

Корпус:

• Тип: TO-3P(N) (изолированный)
• Монтаж: винтовой

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги и замены могут различаться по характеристикам, поэтому перед заменой следует проверять datasheet.

Прямые аналоги:

• STGW15NC60HD (STMicroelectronics)
• IRG4BC30UD (Infineon)
• HGTG15N60B3D (ON Semiconductor)

Похожие модули (с проверкой распиновки):

• FGA15N60 (Fairchild)
• KGF15N60 (Toshiba)
• IXGH15N60B (IXYS)

Применение

• Преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы для электродвигателей
• Сварочное оборудование

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и рабочие параметры, так как у разных производителей могут быть отличия в характеристиках.

Если нужен точный datasheet, уточните производителя (например, Toshiba, Mitsubishi, Infineon).