IGBT QM15TB-2H

Описание IGBT QM15TB-2H

QM15TB-2H – это изолированный модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с обратным диодом, предназначенный для применения в силовой электронике, частотных преобразователях, источниках питания и системах управления двигателями. Модуль обеспечивает высокую эффективность, надежность и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 15 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CP) | 30 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 100 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Температура хранения | от -40°C до +150°C | | Рабочая температура | от -25°C до +125°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA15N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW15NC60HD (STMicroelectronics)
• HGTG15N60A4D (Infineon)

Совместимые модели в схемах:

• QM10TB-2H (10 А, 600 В)
• QM20TB-2H (20 А, 600 В)
• QM30TB-2H (30 А, 600 В)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями
• Сварочное оборудование

Модуль QM15TB-2H подходит для замены в схемах, где требуется надежный IGBT-транзистор с током до 15 А и напряжением 600 В. При выборе аналога важно учитывать схему управления затвором и тепловые характеристики.

Если нужны дополнительные параметры (например, графики зависимости тока от температуры или C-E емкости), уточните!