IGBT QM15TB-24B

IGBT QM15TB-24B – Описание и технические характеристики

Общее описание:

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) QM15TB-24B – это силовой транзистор, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания и других силовых электронных устройствах.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 15 А (при 25°C) |
| Ток коллектора импульсный (I_CM) | 30 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 100 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 15 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Корпус | TO-247 (3-выводный) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от других производителей:
  • IXGH15N120B (IXYS)
  • IRG4PC50UD (Infineon)
  • FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG15N120BND (STMicroelectronics)
• Похожие модели в линейке:
  • QM10TB-24B (10 А, 1200 В)
  • QM20TB-24B (20 А, 1200 В)
  • QM30TB-24B (30 А, 1200 В)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Инверторы для солнечных панелей
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания

Примечание:

Перед заменой на аналог рекомендуется уточнить соответствие параметров, особенно V_CE, I_C и тепловые характеристики.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!