IGBT QM15TB24

Описание IGBT QM15TB24

QM15TB24 — это IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 15 А, предназначенный для высокочастотных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль имеет встроенный быстрый диод, обеспечивающий эффективную работу в схемах с индуктивной нагрузкой.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 15 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 10 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 50 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) | | Встроенный диод | Да | | Максимальная температура перехода (T_j) | 150°C | | Корпус | TO-247 (или другой, уточните) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG15N120BN (Microsemi)
• STGW15NC120HD (STMicroelectronics)
• IXGH15N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Парт-номера производителей:

• QM15TB24 (оригинальный номер)
• QM15TB24-ND (версия для дистрибьюторов, например, Digi-Key)

Применение

• Инверторы (в т.ч. для сварочных аппаратов)
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Преобразователи частоты

Если требуется уточнение по корпусу или другим параметрам, укажите производителя (Mitsubishi, Toshiba и др.).