IGBT QM15TB24

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM15TB24
Описание IGBT QM15TB24
QM15TB24 — это IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 15 А, предназначенный для высокочастотных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль имеет встроенный быстрый диод, обеспечивающий эффективную работу в схемах с индуктивной нагрузкой.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |---------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 15 А | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 10 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (ton) | 50 нс (тип.) | | Время выключения (toff) | 150 нс (тип.) | | Встроенный диод | Да | | Максимальная температура перехода (Tj) | 150°C | | Корпус | TO-247 (или другой, уточните) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- IRG4PH50UD (International Rectifier)
- FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG15N120BN (Microsemi)
- STGW15NC120HD (STMicroelectronics)
- IXGH15N120B3 (IXYS/Littelfuse)
Парт-номера производителей:
- QM15TB24 (оригинальный номер)
- QM15TB24-ND (версия для дистрибьюторов, например, Digi-Key)
Применение
- Инверторы (в т.ч. для сварочных аппаратов)
- Импульсные блоки питания
- Управление электродвигателями
- Преобразователи частоты
Если требуется уточнение по корпусу или другим параметрам, укажите производителя (Mitsubishi, Toshiba и др.).