IGBT QM15KD-HB

Описание IGBT QM15KD-HB

QM15KD-HB – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для импульсных источников питания, инверторов, сварочного оборудования и других мощных электронных устройств. Модуль обладает низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 15 А | | Ток коллектора (импульсный, I_CP) | 30 А | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 7.5 А) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 100 Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C ~ +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) | | Тип затвора | N-канальный | | Сопротивление затвора (R_G) | 2.5 Ом |

Эквиваленты и совместимые модели

Парт-номера (аналоги):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG15N120BND (Microsemi)
• STGW15NC120HD (STMicroelectronics)
• IXGH15N120B3 (IXYS)

Совместимые модели в схемах (по характеристикам):

• QM10KD-HB (10 А, 1200 В)
• QM20KD-HB (20 А, 1200 В)
• QM30KD-HB (30 А, 1200 В)

Применение

• Импульсные блоки питания
• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если вам нужны конкретные datasheet-параметры или схемы подключения, уточните производителя (например, Mitsubishi, Toshiba или другой бренд, выпускающий QM15KD-HB).