IGBT QM15KD1-HB

Описание IGBT QM15KD1-HB

QM15KD1-HB – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает низкие потери проводимости и высокую скорость переключения, что делает его подходящим для высокочастотных применений.

Корпус обеспечивает хорошие тепловые характеристики и электрическую изоляцию, что упрощает монтаж на радиатор.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 15 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): 30 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 100 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2.5 В (при I_C = 15 A)
• Время включения (t_on): 30 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

Параметры затвора:

• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 5.5 В
• Рекомендуемое напряжение затвора (V_GE): ±20 В
• Заряд затвора (Q_g): 60 нКл

Тепловые характеристики:

• Термическое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0.8 °C/Вт
• Термическое сопротивление переход-среда (R_th(j-a)): 40 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативные модели:

• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH15N120B (IXYS/Littelfuse)
• IRG4PC50UD (Infineon)
• HGTG15N120BND (Microsemi)
• STGW15NC120HD (STMicroelectronics)

Совместимые модули в схожих корпусах:

• QM10KD1-HB (10 A, 1200 V)
• QM20KD1-HB (20 A, 1200 V)
• QM30KD1-HB (30 A, 1200 V)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам по току, напряжению и тепловым характеристикам.