IGBT QM15DX-2H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM15DX-2H
Описание IGBT QM15DX-2H
QM15DX-2H – это IGBT-транзистор с защитным диодом (встроенный обратный диод), предназначенный для высокочастотных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери и хорошую тепловую стабильность.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (IC при 25°C) | 15 А |
| Импульсный ток (ICM) | 30 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1,8 В (при IC = 15 А) |
| Макс. рассеиваемая мощность (PD) | 100 Вт |
| Температура перехода (Tj) | -40°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |
Парт-номера и аналогичные модели
Оригинальные и эквивалентные замены:
- IRG4PC50UD (International Rectifier)
- FGA15N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
- STGW15NC60HD (STMicroelectronics)
- HGTG15N60A4D (Microsemi)
- IXGH15N60B (IXYS)
Совместимые модели (по параметрам):
- QM10DX-2H (10 А, 600 В)
- QM20DX-2H (20 А, 600 В)
- QM30DX-2H (30 А, 600 В)
Применение
- Импульсные блоки питания
- Инверторы и частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- Управление двигателями
Если нужна более точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие характеристик.