IGBT QM15DX-2H

Описание IGBT QM15DX-2H

QM15DX-2H – это IGBT-транзистор с защитным диодом (встроенный обратный диод), предназначенный для высокочастотных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери и хорошую тепловую стабильность.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 15 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 30 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при I_C = 15 А) |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 100 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и аналогичные модели

Оригинальные и эквивалентные замены:

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA15N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW15NC60HD (STMicroelectronics)
• HGTG15N60A4D (Microsemi)
• IXGH15N60B (IXYS)

Совместимые модели (по параметрам):

• QM10DX-2H (10 А, 600 В)
• QM20DX-2H (20 А, 600 В)
• QM30DX-2H (30 А, 600 В)

Применение

• Импульсные блоки питания
• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление двигателями

Если нужна более точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие характеристик.