IGBT QM15DX2H

Описание IGBT QM15DX2H

QM15DX2H – это изолированный модуль IGBT с интегрированным диодом обратного хода (FRD), предназначенный для использования в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую температурную стабильность.

Технические характеристики

• Тип устройства: IGBT с обратным диодом
• Конфигурация: Одиночный транзистор (1 в 1 модуль)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 15 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CP): 30 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.1 В (тип.)
• Потери при переключении: низкие
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~1.25 °C/Вт
• Корпус: TO-247 (изолированный)
• Рабочая температура: -55°C до +150°C

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер:

• QM15DX2H (производитель: возможно, Toshiba, Mitsubishi или другой бренд)

Совместимые модели и аналоги:

• IRG4PC50UD (International Rectifier, 600V, 23A)
• HGTG20N60A4D (ON Semiconductor, 600V, 40A)
• FGA15N60 (Fairchild/ON Semi, 600V, 15A)
• STGW30H60DF (STMicroelectronics, 600V, 60A) – более мощный аналог
• IXGH15N60B3 (IXYS, 600V, 15A)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями
• Сварочное оборудование

Если точный производитель QM15DX2H неизвестен, рекомендуется проверять даташит для уточнения параметров. Для замены следует учитывать напряжение, ток, корпус и тепловые характеристики.