IGBT QM150HY-HE

Описание IGBT QM150HY-HE

QM150HY-HE – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в промышленных инверторах, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и встроенный диод обратного хода (FRD).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 300 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +175°C | | Корпус | модуль (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS – IXGH150N120B3
• Infineon – FF150R12RT4
• Mitsubishi – CM150DY-12H
• Fuji Electric – 2MBI150U2A-120

Совместимые модели в линейке:

• QM100HY-HE (100 А, 1200 В)
• QM200HY-HE (200 А, 1200 В)
• QM300HY-HE (300 А, 1200 В)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Индукционные нагреватели
• Тяговые системы

Если нужна дополнительная информация по замене или применению, уточните условия эксплуатации.