IGBT QM150HY-H

Описание IGBT QM150HY-H

QM150HY-H – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, систем управления электродвигателями и других применений в силовой электронике. Модуль сочетает высокую переключательную способность, низкие потери и надежную конструкцию с изолированным корпусом.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение | 1200 В | | Макс. ток (IC) | 150 А | | Макс. импульсный ток | 300 А (кратковременно) | | Макс. мощность (Ptot) | ~600 Вт (при Tc=25°C) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2.1 В (при IC=150 А) | | Время переключения | ton ~50 нс, toff ~300 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.12 °C/Вт | | Корпус | Изолированный (ISO), 2 в 1 (Half-Bridge) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги:

• QM150DY-H (аналог с другими параметрами корпуса)
• CM150HY-12H (от Mitsubishi)
• FF150R12KE3 (Infineon, аналог по характеристикам)

Совместимые модели (проверьте распиновку!):

• SKM150GB12T4 (SEMIKRON)
• MG150Q1YS41 (Hitachi)
• 2MBI150N-120 (Fuji Electric)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Приводы электродвигателей
• ИБП и солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как аналоги могут отличаться по тепловым параметрам и вольт-амперным кривым. Для точного подбора используйте datasheet производителя (например, Mitsubishi или Infineon).

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!