IGBT QM150E3Y-H

Описание IGBT модуля QM150E3Y-H

QM150E3Y-H — это высоковольтный IGBT-модуль, предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, системы управления электродвигателями и промышленные источники питания. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Технические характеристики

• Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, уточните бренд)
• Тип: IGBT модуль с диодом обратного хода (NPT-IGBT)
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Ток коллектора (IC @ 80°C): 150 А
• Ток импульсный (ICM): 300 А
• Мощность рассеивания (Ptot): 600 Вт
• Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2.5 В (тип.)
• Время включения (ton): 0.3 мкс (тип.)
• Время выключения (toff): 1.2 мкс (тип.)
• Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
• Корпус: модульный, изолированный (например, 6-выводной)

Парт-номера и аналоги

• Оригинальный номер: QM150E3Y-H
• Аналоги и замены:
  • Mitsubishi: CM150E3Y-12H, CM150DY-12H
  • Infineon: FF150R12KE3
  • Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
  • SEMIKRON: SKM150GB12T4

Совместимые модели

Модуль может применяться в схемах, где требуются аналогичные параметры по току и напряжению. Совместимость зависит от:

• Напряжения и тока нагрузки.
• Тепловых характеристик системы.
• Конструкции корпуса и расположения выводов.

Примечание: Перед заменой необходимо сверить datasheet и конфигурацию выводов, так как у разных производителей могут быть отличия в характеристиках.

Если у вас есть дополнительные требования (например, для конкретного инвертора), уточните модель устройства для подбора более точного аналога.