IGBT QM150E2YQM150E2YHE

Описание IGBT QM150E2Y / QM150E2YHE

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) QM150E2Y (и его вариант QM150E2YHE) – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и встроенный свободно-ходовой диод (Flyback Diode).

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип: IGBT + диод
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 100°C)
• Импульсный ток (I_CM): до 300 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): ~300 Вт (зависит от охлаждения)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2.1 В (при I_C = 150 А)
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~200 нс

Параметры встроенного диода:

• Прямое напряжение (V_F): ~1.7 В (при I_F = 150 А)
• Время восстановления (t_rr): ~100 нс

Температурный режим:

• Рабочая температура (T_j): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C

Корпус:

• Тип: модульный (изолированный или неизолированный)
• Монтаж: винтовое крепление (с радиатором)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF150R12RT4, FF150R12KE3
• Mitsubishi: CM150DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Совместимые модели в линейке QM:

• QM100E2Y (100A, 1200V)
• QM200E2Y (200A, 1200V)
• QM300E2Y (300A, 1200V)

Применение

• Промышленные приводы
• Сварочные инверторы
• ИБП и солнечные инверторы
• Управление электродвигателями

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните!