IGBT QM150E2Y-HB

Описание IGBT QM150E2Y-HB

QM150E2Y-HB – это высоковольтный IGBT-транзистор с быстрым восстановительным диодом (FRD), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также высокой устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1500 В
• Ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 300 А (импульсный)
• Мощность рассеивания (P_tot): 1000 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2.5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C ... +150°C
• Тип корпуса: модуль с изолированным основанием (изоляция 2500 В)
• Встроенный диод: быстрый восстановительный (FRD)

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• QM150DY-HB (версия с улучшенными динамическими характеристиками)
• CM150E2Y-12H (аналог от Mitsubishi)
• FZ150R65KE3 (Infineon, 650 В, но с похожими параметрами)
• BSM150GB120DN2 (SEMIKRON, 1200 В, 150 А)

Совместимые модели:

• QM100E2Y-HB (100 А, 1500 В)
• QM200E2Y-HB (200 А, 1500 В)
• QM300E2Y-HB (300 А, 1500 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Управление электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы)
• Тяговые преобразователи

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или специфическим условиям эксплуатации, уточните детали.