IGBT QM150E2Y-HB

Артикул: 299423
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM150E2Y-HB
Описание IGBT QM150E2Y-HB
QM150E2Y-HB – это высоковольтный IGBT-транзистор с быстрым восстановительным диодом (FRD), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также высокой устойчивостью к перегрузкам.
Технические характеристики
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1500 В
- Ток коллектора (IC): 150 А (при 25°C)
- Ток коллектора (IC): 300 А (импульсный)
- Мощность рассеивания (Ptot): 1000 Вт
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 2.5 В (тип.)
- Время включения (ton): 50 нс
- Время выключения (toff): 300 нс
- Температура перехода (Tj): -40°C ... +150°C
- Тип корпуса: модуль с изолированным основанием (изоляция 2500 В)
- Встроенный диод: быстрый восстановительный (FRD)
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги:
- QM150DY-HB (версия с улучшенными динамическими характеристиками)
- CM150E2Y-12H (аналог от Mitsubishi)
- FZ150R65KE3 (Infineon, 650 В, но с похожими параметрами)
- BSM150GB120DN2 (SEMIKRON, 1200 В, 150 А)
Совместимые модели:
- QM100E2Y-HB (100 А, 1500 В)
- QM200E2Y-HB (200 А, 1500 В)
- QM300E2Y-HB (300 А, 1500 В)
Применение
- Промышленные инверторы
- Управление электродвигателями
- Сварочное оборудование
- Системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы)
- Тяговые преобразователи
Если вам нужна дополнительная информация по заменам или специфическим условиям эксплуатации, уточните детали.