IGBT QM150E2YHB

Описание IGBT модуля QM150E2YHB

IGBT модуль QM150E2YHB – это высоковольтный силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании и промышленных системах управления. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, обеспечивает высокую надежность и эффективность в мощных электронных схемах.

Основные технические характеристики:

• Тип модуля: IGBT + диод (полумостовая конфигурация)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 300 А (импульсный)
• Мощность рассеивания (P_tot): 600 Вт (при T_c=25°C)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 50 нс (тип.)
• Время выключения (t_off): 300 нс (тип.)
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0.12 °C/Вт
• Корпус: модульный, изолированный (например, 62mm или подобный)

Парт-номера и аналоги:

• Оригинальный номер: QM150E2YHB
• Аналоги и совместимые модели:
  • Infineon: FF150R12KE3, FF300R12KE3 (с аналогичными характеристиками)
  • Mitsubishi: CM150DY-12H (CM150E2Y-12H)
  • Fuji Electric: 2MBI150U2H-120
  • Semikron: SKM150GB12T4
  • ON Semiconductor: NXH150B120L4Q0

Применение:

• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговые преобразователи

Если вам нужна более точная замена, рекомендуется проверить datasheet конкретного производителя или обратиться к поставщикам.