IGBT QM150E2Y-H

Описание IGBT QM150E2Y-H

QM150E2Y-H – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Модуль широко используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

• Тип: IGBT модуль (N-канальный)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 300 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 450 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2,1 В (при I_C = 150 А)
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~250 нс
• Температура хранения: от -40°C до +125°C
• Корпус: модульный, изолированный (например, 35-38 мм)

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги:

• IXYS: IXGH150N120B3
• Infineon: FF150R12RT4
• Mitsubishi: CM150E2Y-12H
• Fuji Electric: 2MBI150N-120

Частично совместимые (с проверкой схемы):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Toshiba: MG150Q1US41
• Semikron: SKM150GB12T4

Рекомендуемые замены (с учетом характеристик):

• STMicroelectronics: STGW150NC60WD
• ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG

Примечание:

Перед заменой необходимо проверить распиновку, тепловые параметры и схему управления, так как разные производители могут иметь отличия в характеристиках. Для точного подбора аналога рекомендуется свериться с даташитами.

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики зависимости тока от температуры), уточните – предоставлю подробные данные.