IGBT QM150E2YH

Описание IGBT QM150E2YH

QM150E2Y — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных силовых приложений. Этот модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой перегрузочной способностью.

Применяется в:

• Инверторах и частотных преобразователях
• Сварочном оборудовании
• Промышленных электроприводах
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Высоковольтных импульсных системах

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (7-й генерации) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 150 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 330 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,22 °C/Вт |
| Корпус | 2 в 1 (Dual IGBT) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальный номер Mitsubishi:

• QM150E2YH (полное обозначение)

Аналоги и замены:

1. Infineon:
   • FF300R12KE3 (300A, 1200V)
   • FF150R12RT4 (150A, 1200V)
2. Fuji Electric:
   • 2MBI150U2A-120 (150A, 1200V)
3. SEMIKRON:
   • SKM150GB12T4 (150A, 1200V)
4. IXYS (Littelfuse):
   • IXGH150N120B3 (150A, 1200V)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять распиновку и характеристики теплового режима.

Заключение

QM150E2YH — надежный IGBT-модуль для мощных преобразовательных устройств. При замене на аналог важно учитывать параметры тока, напряжения и тепловые характеристики.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!