IGBT QM150DYHB

IGBT QM150DYHB: Описание и технические характеристики

Общее описание

QM150DYHB – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочное оборудование
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем хороший теплоотвод и простоту монтажа на радиатор.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 150 А |
| Пиковый ток (I_CP) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2,1 В (при 75 А) |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Стандартный модульный (например, 62 мм × 108 мм) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF150R12KE3, FF150R12KT3
• Mitsubishi: CM150DY-12NF, CM150DY-24NFH
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120

Совместимые модели (по параметрам):

• STMicroelectronics: STGW150HF120HD
• ON Semiconductor: NGTB50N120FL2WG

Примечания

• Перед заменой модуля на аналог рекомендуется проверять распиновку и характеристики управления затвором.
• Для эффективного охлаждения требуется радиатор с тепловым сопротивлением не более 0,1 °C/Вт.

Если вам нужны дополнительные параметры (например, динамические характеристики, графики), уточните запрос.