IGBT QM150DY-H

Описание IGBT QM150DY-H

QM150DY-H — это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным обратным диодом (FRD), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Ключевые особенности:

• Высокая переключаемая мощность.
• Низкие потери при переключении.
• Встроенный быстрый обратный диод.
• Высокая температурная стабильность.
• Корпус, обеспечивающий хороший теплоотвод.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | IGBT с FRD |
| Макс. напряжение (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C при 25°C) | 150 А (непрерывный) |
| Ток коллектора (I_C при 100°C) | 75 А (непрерывный) |
| Импульсный ток (I_CM) | 300 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 50 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) |
| Диодное напряжение (V_F) | 1.8 В (тип.) |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналог) |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги (полная или частичная замена):

• IXYS IXGH15N160
• Infineon IKW75N60T
• Fuji Electric 2MBI150U4A-060
• Mitsubishi CM150DY-24H
• SEMIKRON SKM150GB066D

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG20N60C3 (ON Semiconductor)
• STGW40H60DLF (STMicroelectronics)

Применение:

• Инверторы и преобразователи частоты.
• Сварочные аппараты.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Драйверы двигателей.
• Индукционные нагреватели.

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или замене, укажите условия эксплуатации (напряжение, ток, частота переключения).