IGBT QM150DY-H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM150DY-H
Описание IGBT QM150DY-H
QM150DY-H — это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным обратным диодом (FRD), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.
Ключевые особенности:
- Высокая переключаемая мощность.
- Низкие потери при переключении.
- Встроенный быстрый обратный диод.
- Высокая температурная стабильность.
- Корпус, обеспечивающий хороший теплоотвод.
Технические характеристики:
| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | IGBT с FRD |
| Макс. напряжение (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC при 25°C) | 150 А (непрерывный) |
| Ток коллектора (IC при 100°C) | 75 А (непрерывный) |
| Импульсный ток (ICM) | 300 А |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.0 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 50 нс (тип.) |
| Время выключения (toff) | 150 нс (тип.) |
| Диодное напряжение (VF) | 1.8 В (тип.) |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналог) |
Парт-номера и совместимые аналоги:
Прямые аналоги (полная или частичная замена):
- IXYS IXGH15N160
- Infineon IKW75N60T
- Fuji Electric 2MBI150U4A-060
- Mitsubishi CM150DY-24H
- SEMIKRON SKM150GB066D
Совместимые модели (по характеристикам):
- IRG4PH50UD (International Rectifier)
- HGTG20N60C3 (ON Semiconductor)
- STGW40H60DLF (STMicroelectronics)
Применение:
- Инверторы и преобразователи частоты.
- Сварочные аппараты.
- Источники бесперебойного питания (ИБП).
- Драйверы двигателей.
- Индукционные нагреватели.
Если требуется уточнение по конкретному аналогу или замене, укажите условия эксплуатации (напряжение, ток, частота переключения).