IGBT QM150DYH

Описание IGBT QM150DYH

IGBT QM150DYH – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в высоковольтных и сильноточных схемах. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии).

Модуль часто используется в:

• Инверторах и преобразователях частоты
• Сварочном оборудовании
• Промышленных источниках питания
• Системах управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (N-канальный) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 400 нс (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | Модуль с изолированным основанием |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• QM150DY-2H (аналогичные параметры, возможно другое исполнение корпуса)
• CM150DY-24H (от другого производителя, но с похожими характеристиками)
• SKM150GB12T4 (Semikron, совместим по характеристикам)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• FF150R12RT4 (Infineon, 1200V, 150A)
• MBN150H12 (Mitsubishi)
• MG150Q1US41 (Toshiba)

Примечания

1. Перед заменой на аналог проверьте распиновку и параметры в даташите.
2. Учитывайте тепловые характеристики и условия охлаждения.
3. Рекомендуется использовать оригинальные компоненты в критичных схемах.

Если нужен даташит или уточнение параметров – укажите, предоставлю дополнительную информацию.