IGBT QM150DY2HB

Описание IGBT QM150DY2HB

QM150DY2HB — это изолированный модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодом обратного хода (FRD), предназначенный для мощных преобразовательных и импульсных устройств. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных приложениях.

Основные технические характеристики

Электрические параметры

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C @25°C): 150 А
• Ток коллектора (I_C @100°C): 75 А
• Импульсный ток (I_CP): 300 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2,5 В (при I_C = 150 А)
• Входная емкость (C_ies): ~10 нФ
• Энергия переключения (E_on/E_off): ~15 мДж / 10 мДж

Параметры встроенного диода

• Прямое напряжение (V_F): ~1,8 В (при I_F = 150 А)
• Время восстановления (t_rr): ~150 нс

Тепловые параметры

• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,15 °C/Вт
• Максимальная температура перехода (T_j): 150°C

Механические параметры

• Корпус: модульный, изолированный
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~150 г

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IXYS: IXGH150N120B3
• Infineon: FF150R12KE3
• Mitsubishi: CM150DY-24H

Близкие по характеристикам (возможна замена с проверкой схемы):

• Fuji Electric: 2MBI150U2B-120
• Semikron: SKM150GB12T4
• Powerex: CM150HB-24H

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверить распиновку и параметры в даташите.