IGBT QM150DY-2H

Описание IGBT QM150DY-2H

QM150DY-2H – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, частотно-регулируемых приводов (ЧРП), сварочных инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой устойчивостью к перегрузкам и компактной конструкцией.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 500 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 70 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | 2-pack (два IGBT + диоды) | | Изоляция корпуса | Да (2500 В~) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• FZ1500R12KE3 (Infineon)
• CM150DY-24H (Mitsubishi)
• SKM150GB12T4 (Semikron)

Частично совместимые (требуется проверка схемы):

• FF150R12KT4 (Infineon)
• MG150Q1US41 (Toshiba)
• PM150DSA120 (Fuji Electric)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнить распиновку и характеристики в даташите, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и конструкции.

Если нужен даташит или дополнительные аналоги, уточните!