IGBT QM150DY2H

Описание IGBT QM150DY2H

QM150DY2H – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе Dual Module, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 300 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 250 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) | | Время переключения (t_on/t_off) | н/д (уточнить в даташите) | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | Dual Module (с изолированной подложкой) |

Совместимые и аналогичные модели (парт номера)

Аналоги могут различаться по параметрам, поэтому перед заменой рекомендуется сверяться с даташитами:

Прямые аналоги (схожие характеристики):

• CM150DY-24H (Mitsubishi)
• SKM150GB128D (Semikron)
• FF150R12RT4 (Infineon)
• MG150Q2YS40 (Hitachi)

Другие возможные замены (с проверкой параметров):

• 2MBI150N-060 (Fuji Electric)
• PM150DSA060 (Powerex)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Примечание

Для точных данных по времени переключения, тепловому сопротивлению и другим параметрам рекомендуется обратиться к официальному даташиту производителя (Mitsubishi или другого бренда, выпускающего данную модель).

Если у вас есть дополнительные вопросы по аналогам или применению – уточняйте!