IGBT QM150DY-24B

Описание IGBT модуля QM150DY-24B

QM150DY-24B – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и приводов электродвигателей. Модуль имеет двухключевую структуру (Dual IGBT) с обратными диодами, что делает его пригодным для частотных преобразователей и систем управления энергией.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Конфигурация | 2 x IGBT с диодами (Dual) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А |
| Ток коллектора (импульсный, I_CP) | 300 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2.5 В (при 150 А) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Корпус | модуль с изолированным основанием (например, 24-выводной) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги (Mitsubishi Electric):

• QM150DY-H (аналог с улучшенными характеристиками)
• CM150DY-24B (близкий по параметрам)
• CM150DY-24H (с повышенной эффективностью)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• ON Semiconductor: NXH150B120H3Q2

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электроприводами
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль QM150DY-24B подходит для замены в схемах, где требуется высокая надежность и мощность. При замене рекомендуется учитывать схему подключения и охлаждения.

Если нужны конкретные datasheet или параметры для замены, уточните условия эксплуатации.