IGBT QM150DY

Описание и технические характеристики IGBT QM150DY

QM150DY — это IGBT-транзистор с интегрированным быстрым диодом, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Используется в импульсных источниках питания, сварочных инверторах, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Основные параметры:

• Тип: IGBT + диод (N-канальный)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 150 A (при 25°C)
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 300 A
• Рассеиваемая мощность (P_D): 600 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 150 A)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (3 вывода)

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 150 A

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH48N60B3D1 (IXYS)
• HGTG20N120BND (Microsemi)
• CM150DY-24H (Mitsubishi Electric)

Прямые аналоги могут отличаться по характеристикам, поэтому перед заменой рекомендуется сверяться с даташитами.

Применение:

• Сварочные инверторы
• Индукционные нагреватели
• Преобразователи частоты
• Импульсные блоки питания

Если нужна более точная информация, уточните производителя (например, Mitsubishi, Infineon и др.), так как маркировка может отличаться.