IGBT QM150DX-H

Артикул: 299399
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM150DX-H
Описание IGBT QM150DX-H
QM150DX-H — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и встроенный быстрый диод.
Технические характеристики
Основные параметры:
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Ток коллектора (IC): 150 А (при 25°C)
- Ток коллектора (IC): 75 А (при 100°C)
- Импульсный ток (ICP): 300 А
- Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2,5 В (тип.)
- Скорость переключения: высокая (оптимизирована для частот до 20 кГц)
Встроенный диод:
- Обратное напряжение (VRRM): 1200 В
- Прямой ток (IF): 150 А
- Время восстановления (trr): < 200 нс
Тепловые параметры:
- Корпус: модуль с изолированным основанием
- Термосопротивление (Rth(j-c)): 0,25 °C/Вт
- Макс. температура перехода (Tj): 150°C
Управление:
- Пороговое напряжение затвора (VGE(th)): 5,5 В
- Рекомендуемое напряжение затвора (VGE): ±20 В
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Прямые аналоги: QM150DY-H, QM150DY-2H (схожие параметры, возможны отличия в корпусе)
- Альтернативы от других производителей:
- Infineon: FF150R12KT4
- Mitsubishi: CM150DY-24H
- Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
Совместимые модули в схемах:
- Подходит для замены в инверторах и частотных преобразователях, где используются IGBT на 1200 В / 150 А.
- Может применяться вместо SKM150GB12T4 (Semikron) в некоторых конфигурациях.
Примечание
Перед заменой проверьте распиновку и характеристики управления затвором, так как у аналогов могут быть отличия в схемотехнике.
Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!