IGBT QM150DH-H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM150DH-H
Описание IGBT QM150DH-H
QM150DH-H — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES).
- Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)).
- Быстрое переключение и низкие динамические потери.
- Встроенный свободно-колебательный диод (FRD).
- Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В (или другой, уточните) |
| Ток коллектора (IC) | 150 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (ICP) | 300 А (макс.) |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | ~1,8 В (при номинальном токе) |
| Мощность рассеивания (PD) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) |
| Температурный диапазон | -40°C ... +150°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0,25 °C/Вт |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |
| Корпус | Изолированный (обычно TO-247 или подобный) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены зависят от производителя, но возможные варианты:
Прямые аналоги:
- FGA15N120ANTD (Fairchild)
- IXGH15N120B3 (IXYS)
- IRG4PH50UD (Infineon)
Совместимые модели (схожие параметры):
- QM100DY-H (меньший ток)
- QM200DY-H (больший ток)
- CM150DY-24H (Mitsubishi)
Альтернативные серии:
- SKM150GB12T4 (SEMIKRON)
- FF150R12RT4 (Infineon)
Примечание
Для точного подбора аналога проверьте:
- Напряжение VCES и ток IC.
- Наличие встроенного диода.
- Распиновку и корпус.
Если у вас есть дополнительные параметры (например, точное напряжение), я могу уточнить список замен.