IGBT QM150DHH

Описание IGBT QM150DHH

IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) QM150DHH – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах. Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип устройства | IGBT + диод (в одном корпусе) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А | | Пиковый ток (I_CM) | 300 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | 30 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 или аналогичный |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• QM150DHH
• QM150DHH-600 (уточненная версия)

Совместимые модели и аналоги:

• Infineon: IKW75N60T, IKW40N60T (с проверкой параметров)
• Fairchild/ON Semi: FGA75N60SMD
• STMicroelectronics: STGW75NC60WD
• Mitsubishi: CM150DY-24H

Применение

• Силовые инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Импульсные блоки питания

Если вам нужны точные аналоги, рекомендуется сверить параметры (V_CES, I_C, корпус) и схемотехнику вашего устройства. Для замены в критичных системах лучше проконсультироваться с производителем.