IGBT QM120DX-HB

IGBT QM120DX-HB: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT QM120DX-HB – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных преобразовательных устройств. Используется в инверторах, сварочных аппаратах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратного напряжения
• Высокая стойкость к перегрузкам
• Оптимизирован для работы в жестких условиях (высокие температуры, вибрации)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 120 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 240 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 120 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс (типовое) | | Время выключения (t_off) | 300 нс (типовое) | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналог) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW40N120T2 (с учетом тока)
• Fuji Electric: 2MBI200XAA120-50
• Mitsubishi: CM1200DUC-34NF
• STMicroelectronics: STGW75HF120S

Похожие модели других производителей:

• IXYS: IXGH120N120B3
• Toshiba: GT50QR21

Примечание:

Перед заменой необходимо уточнять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и корпусах.

Если вам нужна более точная информация по конкретному применению, укажите условия эксплуатации (частота, нагрузка, система охлаждения).