IGBT QM120DX-HB

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM120DX-HB
IGBT QM120DX-HB: Описание и технические характеристики
Описание
IGBT QM120DX-HB – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных преобразовательных устройств. Используется в инверторах, сварочных аппаратах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.
Ключевые особенности:
- Высокая эффективность и низкие потери при переключении
- Встроенный быстрый диод для защиты от обратного напряжения
- Высокая стойкость к перегрузкам
- Оптимизирован для работы в жестких условиях (высокие температуры, вибрации)
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (IC) | 120 А (при 25°C) | | Импульсный ток (ICM) | 240 А | | Рассеиваемая мощность (PD) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,5 В (при 120 А) | | Время включения (ton) | 50 нс (типовое) | | Время выключения (toff) | 300 нс (типовое) | | Температура перехода (Tj) | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналог) |
Парт-номера и совместимые аналоги
Прямые аналоги и замены:
- Infineon: IKW75N120T2, IKW40N120T2 (с учетом тока)
- Fuji Electric: 2MBI200XAA120-50
- Mitsubishi: CM1200DUC-34NF
- STMicroelectronics: STGW75HF120S
Похожие модели других производителей:
- IXYS: IXGH120N120B3
- Toshiba: GT50QR21
Примечание:
Перед заменой необходимо уточнять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и корпусах.
Если вам нужна более точная информация по конкретному применению, укажите условия эксплуатации (частота, нагрузка, система охлаждения).