IGBT QM120DXHB

IGBT QM120DXHB: описание и технические характеристики

Описание:
QM120DXHB — это IGBT-транзистор с высокой мощностью и низкими потерями, предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и системах управления электродвигателями. Модуль имеет встроенный антипараллельный диод, обеспечивающий эффективную работу в схемах с обратными токами.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 120 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 240 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 500 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (при 120 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Корпус | модуль (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |
| Встроенный диод | Да (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от других производителей:

  • Infineon: FF1200R12IE4
  • Mitsubishi: CM1200DY-12NF
  • Fuji Electric: 2MBI1200DX-120
  • Semikron: SKM120GB12T4

• Парт-номера в линейке QM:

  • QM100DXHB (100 А, 1200 В)
  • QM150DXHB (150 А, 1200 В)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль QM120DXHB отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным решением для промышленных применений.