IGBT QM120DXH

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM120DXH
Описание IGBT модуля QM120DXH
QM120DXH – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Он сочетает в себе высокую переключательную способность, низкие потери и надежную изоляцию.
Модуль часто используется в:
- Промышленных частотных преобразователях
- Сварочных инверторах
- Системах управления электродвигателями
- Источниках бесперебойного питания (ИБП)
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (полумостовая сборка) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC при 25°C) | 120 А |
| Ток импульсный (ICP) | 240 А |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | ~2.5 В (тип.) |
| Встроенный обратный диод | Да (Fast Recovery Diode) |
| Мощность рассеивания (Ptot) | ~300 Вт |
| Температура хранения/эксплуатации | -40°C … +150°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.25 °C/Вт |
| Корпус | Стандартный модульный (изолированный) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- SKM120GB12T4 (Semikron)
- FF1200R12IE4 (Infineon)
- CM120DU-12NF (Powerex / Mitsubishi)
- MG12100H-BF2 (Littelfuse)
Совместимые модели в схожих корпусах:
- QM100DXH (100A, 1200V)
- QM150DXH (150A, 1200V)
- QM200DXH (200A, 1200V)
Примечания
- Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
- Для эффективного охлаждения рекомендуется использовать термопасту и радиатор с низким тепловым сопротивлением.
Если вам нужна точная замена, укажите производителя оригинального модуля или конкретное применение.