IGBT QM10KD-HB

Описание IGBT QM10KD-HB

IGBT QM10KD-HB – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Модуль сочетает в себе низкие потери проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, импульсных источников питания, сварочного оборудования, промышленных приводов и других силовых электронных устройств.

Модуль выполнен в корпусе с высокой степенью изоляции и снабжен встроенным антипараллельным диодом для защиты от обратных напряжений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом (NPT) | | Макс. напряжение (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 10 А (при 25°C) | | Ток импульса (I_CM) | 20 А (кратковременно) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 50 Вт (с радиатором) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 40 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 2.5°C/Вт | | Корпус | TO-220 / TO-220AB (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA10N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW10NC60KD (STMicroelectronics)
• HGTG10N60B3D (Microsemi)
• IXGH10N60B (IXYS/Littelfuse)

Похожие модели от других производителей:

• Mitsubishi: CM10TD-12H
• Infineon: IKW10N60H3
• Toshiba: GT10Q101

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Управление двигателями
• Индукционные нагреватели

Если нужна более точная информация по конкретному аналогу или datasheet, уточните производителя и условия эксплуатации.