IGBT QM10HAHD

Описание IGBT QM10HAHD

QM10HAHD – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных преобразователях, инверторах и двигательных системах. Модуль сочетает в себе высокую скорость переключения, низкие потери проводимости и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

• Производитель: Fuji Electric (или другой, уточните)
• Тип: IGBT-модуль (NPT/Trench)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 10 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CP): 20 А
• Мощность рассеивания (P_D): 40 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1.8 В (тип.)
• Скорость переключения: высокая (частоты до 20 кГц)
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 2.5 °C/Вт
• Корпус: TO-247 или аналогичный (уточните)
• Рабочая температура: -40°C до +150°C

Парт-номера и аналоги

Прямые замены:

• Fuji Electric: QM10HAHD (оригинал)
• Infineon: IKW10N60T
• STMicroelectronics: STGW10NC60HD
• Toshiba: MG10Q1BS1
• Fairchild/ON Semi: FGH10N60

Совместимые модели (аналоги по параметрам):

• IRG4PC40UD (International Rectifier)
• HGTG10N60A4D (Renesas)
• APT10GN60JD (Microsemi)

Применение

• Инверторы для двигателей
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочные аппараты
• Системы управления энергией

Если нужны уточнения по производителю или корпусу, сообщите! Также важно проверять datasheet для конкретного производителя, так как параметры могут незначительно отличаться.