IGBT QM10HA-H

IGBT QM10HA-H: Описание и технические характеристики

Описание:

QM10HA-H — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокочастотных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Обладает высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с обратным диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) при 25°C | 10 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 20 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 50 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Время включения (t_on) | 60 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 220 нс (тип.) | | Температура эксплуатации | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-3P (TO-247) |

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от других производителей:

  • Infineon: IKW10N60T
  • STMicroelectronics: STGW10NC60HD
  • Fairchild (ON Semiconductor): FGA10N60
  • Toshiba: GT10Q301

• Совместимые модели в линейке Mitsubishi (Renesas):

  • QM10HA-HF
  • QM10HA-HL
  • QM10TA-H

При замене рекомендуется проверять соответствие характеристик, особенно напряжения и тока.

Если вам нужна дополнительная информация, уточните область применения или условия эксплуатации.