IGBT QM10HAH

IGBT QM10HAH: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) QM10HAH – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для применения в силовой электронике. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания и других устройствах, требующих эффективного управления высокими токами и напряжениями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип транзистора | NPT IGBT |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 20 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 10 А (при 100°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 40 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 100 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 10 А) |
| Время включения (t_on) | ~35 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 или аналогичный |

Парт-номера и совместимые модели

• Аналоги и замены:
  • IRG4PH40UD (International Rectifier)
  • FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • H20R1202 (STMicroelectronics)
  • GT20J101 (Toshiba)
  • IXGH20N60B (IXYS/Littelfuse)
• Парт-номер производителя:
  • QM10HAH (оригинальный номер)
  • Возможны вариации в зависимости от производителя (например, QM10HAH-1, QM10HAH-TR)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Силовые драйверы двигателей
• Устройства плавного пуска

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташит конкретного производителя, так как параметры могут незначительно отличаться.