IGBT QM100TX-HB

IGBT QM100TX-HB: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) QM100TX-HB – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Ключевые особенности:

• Высокий КПД
• Быстрое переключение
• Низкие потери в открытом состоянии
• Высокая температурная стабильность

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-------------------------------|
| Тип устройства | IGBT с антипараллельным диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В (или другая версия, уточните) |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 60 А (примерно) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт (зависит от корпуса) |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В (стандартно) |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 50 А) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Корпус | TO-247 (или другой, уточните) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

(Точные значения зависят от производителя и модификации!)

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• Infineon: IKW75N60T, IKW100N60T
• Fuji Electric: 2MBI100X-060
• Mitsubishi: CM100DY-24NF
• IXYS: IXGH100N60B3

Совместимые модели (проверьте распиновку и характеристики!):

• QM100DY-HB
• QM200TX-HB (более мощная версия)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG20N60B3 (Fairchild/ON Semi)

Примечание

Рекомендуется проверять datasheet производителя, так как параметры могут отличаться в зависимости от серии и года выпуска. Если у вас есть дополнительная информация (например, производитель или точное напряжение), можно уточнить аналоги.

Нужна помощь с подбором замены или дополнительными данными? Уточните детали!