IGBT QM100TF-H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM100TF-H
IGBT QM100TF-H: Описание и технические характеристики
Общее описание
IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) QM100TF-H – это высоковольтный силовой модуль, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других системах управления мощностью. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери и надежную конструкцию, что делает его подходящим для промышленного использования.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (IC) | 100 А (при 25°C) | | Импульсный ток (ICP) | до 200 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1,8 В (при 50 А) | | Макс. рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт | | Время включения (ton) | ~50 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Температура перехода (Tj) | от -40°C до +150°C | | Термическое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0,25 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Встроенный диод | Быстрый обратный диод (FRD) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- IRG4PH50UD (International Rectifier)
- FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG20N60A4D (Infineon)
- IXGH32N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)
Совместимые модели в схемах:
- QM75TF-H (75 А, 600 В)
- QM150TF-H (150 А, 600 В)
- QMG100TF-H (модификация с улучшенным охлаждением)
Применение
- Частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Управление электродвигателями
- Солнечные инверторы
Если требуется более точный аналог, рекомендуется проверять datasheet производителя или консультироваться с поставщиком компонентов.