IGBT QM100TFH

IGBT QM100TFH: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT QM100TFH — это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Обладает высокой переключательной способностью, низкими потерями проводимости и высокой температурной стабильностью.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT (N-канальный) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Пиковый ток (I_CM) | 200 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (с радиатором) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5–6 В | | Время включения (t_on) | 50 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Рабочая температура | от -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW40N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW40H120DF2
• Mitsubishi: CM100DY-24H

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IXYS: IXGH100N120B3
• Toshiba: MG100Q1US41

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или специфическим применениям, уточните запрос!