IGBT QM100HYH

Описание IGBT QM100HYH

QM100HYH – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 200 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при 100 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Рабочая температура | -55 °C ... +150 °C |

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги:

• FGA100N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PC50UD (Infineon)
• HGTG20N60B3 (Microsemi)
• STGW40H60DF (STMicroelectronics)

Совместимые модели (зависит от схемы):

• IXGH100N60B3 (IXYS)
• APT50GF60B2DG (Microchip)
• MG100Q2YS40 (Mitsubishi Electric)

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и режимы работы, так как параметры могут незначительно отличаться.