IGBT QM100HY-2H

Описание IGBT QM100HY-2H

QM100HY-2H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль обладает высокой стойкостью к перегрузкам, низкими коммутационными потерями и эффективным охлаждением благодаря конструктивным особенностям.

Основные области применения:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электроприводами
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT-технология) | | Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В | | Коллекторный ток (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.35 °C/Вт | | Корпус | 2-выводной модуль (TO-247 или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативные модели:

• Infineon: FF100R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI100U2H-120
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Похожие модули от других производителей:

• IR (International Rectifier): IRG4PH50UD
• Toshiba: MG100Q2YS40

Примечание

При замене модуля на аналог необходимо учитывать:

• Соответствие электрических параметров (V_CES, I_C)
• Размеры и тип корпуса
• Наличие встроенного диода

Для точного подбора рекомендуется сверяться с даташитами производителей.