IGBT QM100DY-HBK

Описание IGBT QM100DY-HBK

QM100DY-HBK – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в силовых электронных устройствах. Модуль имеет встроенный обратный диод, что делает его пригодным для инверторов, преобразователей частоты, сварочного оборудования и других промышленных применений.

Корпус модуля обеспечивает хорошее тепловое рассеивание и электрическую изоляцию. Типовая сфера применения:

• Преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с антипараллельным диодом | | Макс. напряжение (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 100 А | | Пиковый ток (I_CP) | 200 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный, TO-247 или аналогичный |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (Renesas)

Совместимые модели (схожие параметры):

• CM100DY-24H (Mitsubishi)
• SKM100GB066D (Semikron)
• FF100R12KS4 (Infineon)

Примечание: Перед заменой уточните распиновку и характеристики, так как некоторые аналоги могут отличаться по управляющим параметрам или тепловым режимам.

Дополнительные сведения

• Рекомендуется использовать с радиатором для эффективного охлаждения.
• Подходит для частотных преобразователей мощностью до 10–15 кВт.
• Входная ёмкость затвора требует корректного драйвера управления.

Если требуется точный datasheet, проверьте официальные источники производителя (например, Fuji Electric, Mitsubishi или Infineon).