IGBT QM100DYHBK

Описание IGBT QM100DYHBK

QM100DYHBK – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT и диод, что упрощает монтаж и повышает надежность системы.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температура хранения/эксплуатации | -40°C ... +150°C |
| Тип корпуса | 2 в 1 (Dual IGBT + диод) |
| Схема подключения | Half-Bridge (полумост) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• QM100DY-HBK (альтернативное обозначение)
• CM100DY-24H (Mitsubishi)
• FF100R12KS4 (Infineon)
• SKM100GB12T4 (Semikron)

Частично совместимые модели (требуется проверка распиновки и характеристик):

• MG100Q1US41 (Toshiba)
• FGA100N120 (Fairchild/ON Semi)
• IXGH100N120B3 (IXYS)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль QM100DYHBK отличается высокой эффективностью и надежностью, что делает его популярным в силовой электронике. Перед заменой рекомендуется сверить распиновку и характеристики с оригиналом.