IGBT QM100DY-2HB

IGBT QM100DY-2HB: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT QM100DY-2HB – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для управления мощными нагрузками в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Изделие выпускается в корпусе TO-247 (или аналогичном) и имеет встроенный быстрый диод для защиты от обратных токов.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 200 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 50 А) |
| Скорость переключения (t_on / t_off) | 50 нс / 150 нс |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C ~ +150°C |
| Встроенный диод (FRD) | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (Microsemi)
• IXGH100N60B3 (IXYS/Littelfuse)
• STGW40H60DF (STMicroelectronics)

Похожие модели от других производителей:

• Infineon: IKW75N60T
• Toshiba: GT60M323

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Импульсные источники питания
• Солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверить соответствие характеристик, особенно по напряжению V_CES, току I_C и скорости переключения.

Если нужны дополнительные параметры (например, емкости затвора, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос.