IGBT QM100DY-2H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM100DY-2H
Описание IGBT QM100DY-2H
QM100DY-2H – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, предназначенный для применения в мощных импульсных схемах, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями.
Основные технические характеристики:
| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 100 А | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 50 А | | Максимальная импульсная мощность (Ptot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.8 В (при IC = 50 А) | | Время включения (ton) | 35 нс | | Время выключения (toff) | 110 нс | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В | | Температура перехода (Tj) | -55°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |
Альтернативные парт-номера и совместимые модели
Полные аналоги:
- QM100DY-H (аналогичный параметрам, но без суффикса -2H)
- IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
- FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650V, 60A)
Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):
- HGTG30N60A4D (600V, 46A, TO-247)
- IXGH50N60B3 (IXYS, 600V, 50A)
- STGW60H65DFB (STMicro, 650V, 60A)
Применение:
- Силовые инверторы
- Сварочные аппараты
- Управление электродвигателями
- Импульсные блоки питания
Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet на предмет параметров VCES, IC и тепловых характеристик.