IGBT QM100DY2H

Описание IGBT модуля QM100DY-2H

QM100DY-2H – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в силовой электронике. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других устройствах с высокой мощностью.

Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что позволяет использовать его в мостовых схемах (например, полумост).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Тип модуля | Полумост (Half-Bridge) | | Макс. напряжение V_CES | 1200 В | | Макс. ток коллектора I_C (при 25°C) | 100 А | | Макс. импульсный ток I_CP | 200 А | | Напряжение насыщения V_CE(sat) | 2,1 В (тип.) | | Время включения t_on | 40 нс | | Время выключения t_off | 150 нс | | Встроенные диоды | Fast Recovery Diode (FRD) | | Корпус | Изолированный (с гальванической развязкой) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Вес | ~50 г |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Fuji Electric:
  • 2MBI100U2H-120
  • 2MBI100U4H-120
• Mitsubishi:
  • CM100DY-24H
  • CM100DY-24HA
• Infineon:
  • FF100R12KS4
• SEMIKRON:
  • SKM100GB12T4

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• IRG4PH50UD (от International Rectifier)
• HGTG30N120B3 (от Fairchild/ON Semiconductor)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна замена, уточните параметры вашей схемы (напряжение, ток, тип корпуса).