IGBT QM100DY2H

IGBT QM100DY2H
Артикул: 299355

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT QM100DY2H

Описание IGBT модуля QM100DY-2H

QM100DY-2H – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в силовой электронике. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других устройствах с высокой мощностью.

Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что позволяет использовать его в мостовых схемах (например, полумост).


Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Тип модуля | Полумост (Half-Bridge) | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Макс. ток коллектора IC (при 25°C) | 100 А | | Макс. импульсный ток ICP | 200 А | | Напряжение насыщения VCE(sat) | 2,1 В (тип.) | | Время включения ton | 40 нс | | Время выключения toff | 150 нс | | Встроенные диоды | Fast Recovery Diode (FRD) | | Корпус | Изолированный (с гальванической развязкой) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Вес | ~50 г |


Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

  • Fuji Electric:
    • 2MBI100U2H-120
    • 2MBI100U4H-120
  • Mitsubishi:
    • CM100DY-24H
    • CM100DY-24HA
  • Infineon:
    • FF100R12KS4
  • SEMIKRON:
    • SKM100GB12T4

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

  • IRG4PH50UD (от International Rectifier)
  • HGTG30N120B3 (от Fairchild/ON Semiconductor)

Применение

  • Преобразователи частоты
  • Сварочные инверторы
  • Управление электродвигателями
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна замена, уточните параметры вашей схемы (напряжение, ток, тип корпуса).

Товары из этой же категории