IGBT QM100DY2H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM100DY2H
Описание IGBT модуля QM100DY-2H
QM100DY-2H – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в силовой электронике. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других устройствах с высокой мощностью.
Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что позволяет использовать его в мостовых схемах (например, полумост).
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Тип модуля | Полумост (Half-Bridge) | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Макс. ток коллектора IC (при 25°C) | 100 А | | Макс. импульсный ток ICP | 200 А | | Напряжение насыщения VCE(sat) | 2,1 В (тип.) | | Время включения ton | 40 нс | | Время выключения toff | 150 нс | | Встроенные диоды | Fast Recovery Diode (FRD) | | Корпус | Изолированный (с гальванической развязкой) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Вес | ~50 г |
Альтернативные парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги:
- Fuji Electric:
- 2MBI100U2H-120
- 2MBI100U4H-120
- Mitsubishi:
- CM100DY-24H
- CM100DY-24HA
- Infineon:
- FF100R12KS4
- SEMIKRON:
- SKM100GB12T4
Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):
- IRG4PH50UD (от International Rectifier)
- HGTG30N120B3 (от Fairchild/ON Semiconductor)
Применение
- Преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Если вам нужна замена, уточните параметры вашей схемы (напряжение, ток, тип корпуса).