IGBT QM100DY

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM100DY
Описание IGBT QM100DY
QM100DY – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для управления высокими токами и напряжениями в силовой электронике. Модуль часто используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других устройствах, требующих эффективного переключения мощных нагрузок.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------|----------| | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Максимальный ток коллектора (IC) | 100 А | | Максимальный импульсный ток (ICM) | 200 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | 1,8 В (при IC = 50 А) | | Время включения (ton) | 50 нс | | Время выключения (toff) | 200 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C ~ 150°C | | Корпус | TO-247 или аналогичный |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги
- IRG4PH50UD (International Rectifier)
- FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG20N60A4D (STMicroelectronics)
- IXGH32N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)
Совместимые модели (по параметрам)
- QM75DY (75 А, 600 В)
- QM150DY (150 А, 600 В)
- SKM100GB066D (Semikron, 100 А, 600 В)
- CM100DY-24H (Mitsubishi, 100 А, 1200 В)
Применение
- Преобразователи частоты
- Инверторы
- Сварочные аппараты
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Системы управления электродвигателями
Если вам нужен точный аналог, рекомендуется сверяться с даташитами производителей, так как параметры могут незначительно отличаться.